การแข่งขันในตลาดหน่วยความจำประสิทธิภาพสูง (HBM) กำลังทวีความรุนแรงขึ้น เมื่อสามยักษ์ใหญ่ของอุตสาหกรรมชิปหน่วยความจำ ได้แก่ SK Hynix, Samsung Electronics และ Micron Technology ต่างเร่งพัฒนาเทคโนโลยี HBM4 (High Bandwidth Memory รุ่นที่ 4) เพื่อช่วงชิงส่วนแบ่งตลาดที่คาดว่าจะมีมูลค่าสูงถึง 141 ล้านล้านวอน ภายในไม่กี่ปีข้างหน้า
ปัจจุบัน HBM ถือเป็นหัวใจสำคัญของระบบประมวลผล AI และชิปประสิทธิภาพสูงอย่าง GPU ของ NVIDIA ซึ่งต้องการหน่วยความจำที่มีความเร็วและแบนด์วิธสูงมาก เพื่อรองรับการประมวลผลโมเดลขนาดใหญ่ในยุค AI การแข่งขันในตลาดนี้จึงไม่ใช่เพียงแค่เรื่องของ “หน่วยความจำ” แต่คือการชิงความเป็นผู้นำในยุคปัญญาประดิษฐ์อย่างแท้จริง
SK Hynix ซึ่งครองส่วนแบ่งตลาด HBM3 มากที่สุดในปัจจุบัน ได้เริ่มพัฒนา HBM4 อย่างเข้มข้น และมีแนวโน้มว่าจะเป็นผู้ผลิตรายแรกที่สามารถส่งมอบต้นแบบให้ลูกค้าทดสอบได้ภายในปี 2026 โดยมีการปรับปรุงเทคโนโลยี TSV (Through-Silicon Via) และเพิ่มจำนวนเลเยอร์เพื่อเพิ่มแบนด์วิธให้สูงกว่า 1.5TB/s ต่อแพ็กเกจ
ขณะเดียวกัน Samsung Electronics ก็ไม่ยอมน้อยหน้า โดยประกาศแผนเร่งพัฒนา HBM4 ผ่านสายการผลิตขั้นสูงระดับ 1b nm และเทคนิคการเชื่อมต่อ 3D Stack รุ่นใหม่ ซึ่งจะช่วยลดพลังงานลงกว่า 10% และเพิ่มความหนาแน่นของหน่วยความจำได้มากกว่ารุ่นเดิมอย่างมีนัยสำคัญ นอกจากนี้ Samsung ยังร่วมมือกับ NVIDIA และ AMD เพื่อให้การทดสอบและรองรับ HBM4 บน GPU รุ่นถัดไปเป็นไปอย่างราบรื่น
ส่วนฝั่งของ Micron Technology จากสหรัฐฯ กำลังรุกคืบตลาดอย่างจริงจัง โดยประกาศแผนการผลิต HBM4 ด้วยเทคโนโลยี lithography ขั้นสูงและการใช้วัสดุใหม่ที่ช่วยลดความร้อนสะสม ซึ่งถือเป็นปัจจัยสำคัญสำหรับการทำงานของ AI accelerator ที่ต้องใช้พลังประมวลผลสูงต่อเนื่อง
ผู้เชี่ยวชาญคาดว่าการแข่งขันรอบใหม่นี้จะเป็น “ยุคทองของ HBM” และจะเป็นตัวชี้ชะตาว่าใครจะกลายเป็นผู้นำด้านหน่วยความจำในโลก AI ที่กำลังเติบโตอย่างรวดเร็ว โดยตลาดรวมของ HBM มีแนวโน้มเติบโตเฉลี่ยต่อปีมากกว่า 40% และอาจแตะระดับ 141 ล้านล้านวอน (ราว 3.7 ล้านล้านบาท) ภายในปี 2030
ในศึกครั้งนี้ ไม่ได้มีเพียงเทคโนโลยีเป็นเดิมพัน แต่ยังหมายถึงอนาคตของอุตสาหกรรม AI ทั้งระบบ — และบริษัทที่ชนะในสมรภูมิ HBM4 อาจกลายเป็น “ราชาแห่งหน่วยความจำแห่งยุค AI” อย่างแท้จริง
ที่มา : ข้อมูล
