โพสต์ที่มีแท็ก : NAND Flash 1 รายการ

Samsung ก้าวสู่ยุค NAND 200+ เลเยอร์ที่ซีอาน ปูทางหน่วยความจำล้ำยุคสำหรับสมาร์ทโฟนและ AI

Samsung Electronics ได้ดำเนินการเปลี่ยนผ่านเทคโนโลยีการผลิตหน่วยความจำแฟลช NAND ครั้งสำคัญที่โรงงานในเมืองซีอาน ประเทศจีน โดยได้ยกระดับจากเทคโนโลยีเดิมไปสู่การผลิต NAND แบบ 236 เลเยอร์ ซึ่งเป็นการเคลื่อนไหวเชิงกลยุทธ์ที่สำคัญเพื่อเสริมความแข็งแกร่งในการแข่งขัน และเตรียมพร้อมสำหรับความต้องการหน่วยความจำประสิทธิภาพสูงในตลาดอุปกรณ์พกพาและปัญญาประดิษฐ์ที่กำลังเติบโตอย่างรวดเร็ว