ในโลกที่ขับเคลื่อนด้วยข้อมูลและเทคโนโลยีอัจฉริยะ หน่วยความจำแฟลช NAND ถือเป็นหัวใจสำคัญที่หล่อเลี้ยงการทำงานของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่เราใช้ในชีวิตประจำวัน ไม่ว่าจะเป็นสมาร์ทโฟน แท็บเล็ต คอมพิวเตอร์ หรือแม้แต่โครงสร้างพื้นฐานของระบบปัญญาประดิษฐ์ขนาดใหญ่ และล่าสุด Samsung Electronics ผู้เล่นรายใหญ่ในอุตสาหกรรม ได้ประกาศความสำเร็จครั้งสำคัญในการเปลี่ยนผ่านกระบวนการผลิตหน่วยความจำแฟลช NAND ที่โรงงานหลักในเมืองซีอาน ประเทศจีน นับเป็นการยกระดับเทคโนโลยีครั้งใหญ่ที่จะส่งผลต่อศักยภาพของอุปกรณ์ดิจิทัลในอนาคตอันใกล้
การเปลี่ยนแปลงครั้งนี้ถือเป็นเฟสแรกที่ Samsung ได้ดำเนินการสำเร็จ โดยโรงงานซีอานได้เปลี่ยนจากเทคโนโลยี NAND แบบ 128 เลเยอร์ ที่เป็นรุ่นเก่า ไปสู่การผลิตหน่วยความจำแฟลช NAND เจเนอเรชันที่ 8 หรือ V8 ซึ่งมีความหนาแน่นสูงถึง 236 เลเยอร์ และได้เข้าสู่กระบวนการผลิตในปริมาณมากแล้วอย่างเต็มตัว การก้าวเข้าสู่ยุค 200+ เลเยอร์นี้บ่งชี้ถึงความมุ่งมั่นของ Samsung ในการรักษาความเป็นผู้นำด้านเทคโนโลยี และยังไม่หยุดเพียงเท่านั้น เพราะคาดการณ์ว่าภายในปีนี้ การเปลี่ยนผ่านสู่เทคโนโลยี NAND เจเนอเรชันที่ 9 หรือ V9 ที่มีจำนวนเลเยอร์มากถึง 286 เลเยอร์ ก็จะสำเร็จลุล่วงและเริ่มดำเนินการผลิตเต็มรูปแบบเช่นกัน สะท้อนให้เห็นถึงการเร่งเครื่องเพื่อปรับตำแหน่งทางการแข่งขันของศูนย์กลางการผลิต NAND ที่สำคัญแห่งนี้
ตามข้อมูลจากแหล่งข่าวในอุตสาหกรรมเมื่อเร็วๆ นี้ โรงงานซีอานของ Samsung ได้เริ่มต้นการผลิต NAND V8 แบบ 236 เลเยอร์ในปริมาณมาก หลังจากที่กระบวนการเปลี่ยนผ่านซึ่งเริ่มขึ้นในปี พ.ศ. 2567 ได้เสร็จสิ้นลงอย่างสมบูรณ์ นับเป็นการยุติการผลิต NAND รุ่นเก่า 128 เลเยอร์ (V6) และตอกย้ำการเข้าสู่ยุคแห่งหน่วยความจำที่มีจำนวนชั้นเซลล์มากกว่า 200 เลเยอร์อย่างเต็มรูปแบบ การเพิ่มจำนวนชั้นเซลล์ในหน่วยความจำแฟลช NAND ซึ่งอาศัยการเรียงซ้อนเซลล์ในแนวตั้งนั้น มีความหมายโดยตรงต่อความสามารถในการจัดเก็บข้อมูลที่มากขึ้นในพื้นที่เท่าเดิม ส่งผลให้ได้หน่วยความจำที่มีความจุสูงขึ้นและมีประสิทธิภาพที่ดีขึ้นอย่างเห็นได้ชัด
โรงงานซีอานได้ผลิตผลิตภัณฑ์ 128 เลเยอร์มาเป็นเวลานาน แต่ด้วยความต้องการผลิตภัณฑ์รุ่นเก่าที่ลดลงอย่างต่อเนื่อง การเปลี่ยนผ่านสู่เทคโนโลยีเจเนอเรชันใหม่จึงกลายเป็นสิ่งจำเป็นอย่างยิ่งยวด การเคลื่อนไหวนี้สะท้อนถึงการแข่งขันที่ดุเดือดในตลาดหน่วยความจำแฟลช โดยเฉพาะอย่างยิ่งเมื่อผู้ผลิต NAND รายใหญ่ที่สุดของจีนอย่าง YMTC ได้ก้าวไปสู่การผลิตที่ 294 เลเยอร์ในปริมาณมากแล้ว ทำให้การแข่งขันด้วยผลิตภัณฑ์ที่มีจำนวนเลเยอร์ต่ำกว่า 200 ชั้นเป็นเรื่องที่ท้าทายมากขึ้นเรื่อยๆ สำหรับ Samsung
ความขัดแย้งด้านเทคโนโลยีระหว่างสหรัฐอเมริกาและจีนยังคงเป็นปัจจัยสำคัญที่ส่งผลกระทบต่อการตัดสินใจเชิงกลยุทธ์ของบริษัทเทคโนโลยียักษ์ใหญ่ หนึ่งในเจ้าหน้าที่อุตสาหกรรมได้ให้ความเห็นว่า ข้อจำกัดที่เข้มงวดขึ้นในการนำเข้าอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูงจากสหรัฐฯ เข้าสู่ประเทศจีน อาจเป็นปัจจัยเร่งให้ Samsung ต้องผลักดันการเปลี่ยนผ่านเทคโนโลยีให้เสร็จสมบูรณ์รวดเร็วยิ่งขึ้น แม้ว่า Samsung จะได้รับสถานะผู้ใช้ปลายทางที่ผ่านการตรวจสอบ (Validated End-User หรือ VEU) ซึ่งยกเว้นจากข้อจำกัดบางประการ แต่บริษัทก็ยังคงต้องต่ออายุการอนุมัติจากรัฐบาลสหรัฐฯ เป็นประจำทุกปีตั้งแต่ปลายปีที่แล้ว แสดงให้เห็นถึงความซับซ้อนของภูมิทัศน์ทางธุรกิจในปัจจุบัน
ข่าวที่คุณอาจสนใจ
นอกจากปัจจัยด้านการแข่งขันและภูมิรัฐศาสตร์แล้ว การลงทุนในโครงสร้างพื้นฐานด้านปัญญาประดิษฐ์ที่พุ่งสูงขึ้นอย่างมหาศาล ก็เป็นอีกหนึ่งแรงผลักดันสำคัญที่สนับสนุนการเปลี่ยนผ่านเทคโนโลยีนี้ ความต้องการไดรฟ์โซลิดสเตตสำหรับองค์กร (enterprise Solid-State Drives หรือ eSSD) ที่เติบโตอย่างรวดเร็วได้ยกระดับมาตรฐานสำหรับหน่วยความจำ NAND ประสิทธิภาพสูง การใช้งาน AI ที่ต้องการการประมวลผลข้อมูลจำนวนมหาศาลและรวดเร็ว ทำให้ความต้องการหน่วยความจำที่มีความหนาแน่นสูงและมีความเร็วในการเข้าถึงข้อมูลเป็นสิ่งจำเป็นอย่างยิ่งยวด
แผนระยะใกล้ของ Samsung คือการเปลี่ยนกำลังการผลิตหลักของโรงงานซีอานจาก V6 ไปสู่ V8 เพื่อเสริมสร้างความแข็งแกร่งในตำแหน่งทางการแข่งขันไปพร้อมกัน นอกจากนี้ โรงงานซีอานแห่งที่ 2 (X2) ก็มีกำหนดที่จะเปลี่ยนผ่านไปสู่การผลิต NAND V9 แบบ 286 เลเยอร์ เพื่อเพิ่มขีดความสามารถในการผลิตเทคโนโลยีเจเนอเรชันใหม่ให้ได้มากที่สุด V9 ถือเป็นผลิตภัณฑ์ที่ทันสมัยที่สุดของ Samsung ที่เข้าสู่การผลิตในปริมาณมากในปัจจุบัน โดยบริษัทวางแผนที่จะดำเนินการเปลี่ยนผ่านให้แล้วเสร็จและเริ่มผลิตในปริมาณมากภายในปีนี้อย่างแน่นอน
โรงงานซีอานมีสัดส่วนการผลิต NAND คิดเป็นประมาณ 40% ของผลผลิต NAND ทั้งหมดของ Samsung การเปลี่ยนผ่านกระบวนการผลิตที่กำลังดำเนินอยู่นี้จึงคาดว่าจะขยายขีดความสามารถของโรงงานในการผลิต V8 และ V9 ได้อย่างมีนัยสำคัญ นอกจากนี้ การเปลี่ยนผ่านดังกล่าวยังถูกมองว่าเป็นการวางรากฐานเพื่อเร่งการพัฒนา NAND เจเนอเรชันที่ 10 หรือ V10 ซึ่งคาดว่าจะเกิน 400 เลเยอร์อย่างมาก
ปัจจุบัน Samsung กำลังผลิต V9 ในปริมาณมากที่วิทยาเขตพยองแท็กในประเทศเกาหลีใต้ และกำลังเตรียมพร้อมสำหรับการผลิต V10 ที่นั่นด้วย ด้วยการที่ระบบการผลิต V8 และ V9 มีความเสถียรแล้วที่ซีอาน ทำให้ Samsung คาดว่าจะสามารถเร่งความพร้อมสำหรับ V10 และ NAND เจเนอเรชันถัดไปที่โรงงานในประเทศของตนเองได้รวดเร็วยิ่งขึ้น ซึ่งจะทำให้ Samsung ยังคงเป็นผู้นำด้านนวัตกรรมและเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลชสำหรับอนาคตของอุปกรณ์อัจฉริยะและระบบคลาวด์
โฆษกของ Samsung Electronics ได้ให้คำกล่าวว่า บริษัทไม่สามารถยืนยันตารางเวลาการผลิตผลิตภัณฑ์ที่เฉพาะเจาะจงได้ แต่ได้เสริมว่า ความมุ่งมั่นของบริษัทในการพัฒนาการเปลี่ยนผ่าน NAND เจเนอเรชันถัดไปอย่างต่อเนื่อง และเสริมสร้างพอร์ตโฟลิโอของกระบวนการผลิตที่ทันสมัยให้แข็งแกร่งยิ่งขึ้นนั้นยังคงไม่เปลี่ยนแปลง สิ่งนี้ตอกย้ำวิสัยทัศน์ของ Samsung ในการสร้างสรรค์นวัตกรรมที่ไม่หยุดนิ่ง เพื่อตอบสนองความต้องการของตลาดที่เปลี่ยนแปลงอย่างรวดเร็ว และผลักดันขีดจำกัดของเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลชให้ก้าวล้ำไปอีกขั้น ซึ่งท้ายที่สุดแล้วจะส่งผลดีต่อผู้ใช้งานสมาร์ทโฟนและอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ต่างๆ ที่จะได้รับประโยชน์จากหน่วยความจำที่มีประสิทธิภาพสูงขึ้น ความจุมากขึ้น และราคาที่เข้าถึงได้ง่ายขึ้นในอนาคตอันใกล้
ที่มา ข้อมูล
