โพสต์ที่มีแท็ก : หน่วยความจำ 8 รายการ

Samsung ก้าวสู่ยุค NAND 200+ เลเยอร์ที่ซีอาน ปูทางหน่วยความจำล้ำยุคสำหรับสมาร์ทโฟนและ AI

Samsung ก้าวสู่ยุค NAND 200+ เลเยอร์ที่ซีอาน ปูทางหน่วยความจำล้ำยุคสำหรับสมาร์ทโฟนและ AI

Samsung Electronics ได้ดำเนินการเปลี่ยนผ่านเทคโนโลยีการผลิตหน่วยความจำแฟลช NAND ครั้งสำคัญที่โรงงานในเมืองซีอาน ประเทศจีน โดยได้ยกระดับจากเทคโนโลยีเดิมไปสู่การผลิต NAND แบบ 236 เลเยอร์ ซึ่งเป็นการเคลื่อนไหวเชิงกลยุทธ์ที่สำคัญเพื่อเสริมความแข็งแกร่งในการแข่งขัน และเตรียมพร้อมสำหรับความต้องการหน่วยความจำประสิทธิภาพสูงในตลาดอุปกรณ์พกพาและปัญญาประดิษฐ์ที่กำลังเติบโตอย่างรวดเร็ว

8 ชั่วโมงที่แล้ว · 0 ครั้ง
ต้นทุนหน่วยความจำพุ่งสูง LPDDR5x แซงหน้า Snapdragon 8E5 ในไตรมาสแรก คาดราคาเพิ่มอีก

ต้นทุนหน่วยความจำพุ่งสูง LPDDR5x แซงหน้า Snapdragon 8E5 ในไตรมาสแรก คาดราคาเพิ่มอีก

สถานีสนทนาจิดีฮัลรายงานบน Weibo ว่าต้นทุนการผลิตหน่วยความจำ LPDDR5x ขนาด 16GB + UFS 4.1 ขนาด 1TB พุ่งสูงกว่าชิป Snapdragon 8E5 ในไตรมาสแรก และคาดว่าจะเพิ่มขึ้นอีกในไตรมาสที่สอง สะท้อนแนวโน้มราคาชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่สูงขึ้น.

17 วันที่แล้ว · 0 ครั้ง
Micron เปิดมิติใหม่หน่วยความจำ LPDRAM 256GB พลิกโฉมประสิทธิภาพศูนย์ข้อมูล AI

Micron เปิดมิติใหม่หน่วยความจำ LPDRAM 256GB พลิกโฉมประสิทธิภาพศูนย์ข้อมูล AI

Micron เทคโนโลยี ผู้ผลิตหน่วยความจำชั้นนำระดับโลก ได้เริ่มส่งมอบตัวอย่างหน่วยความจำ LPDRAM SOCAMM2 ความจุ 256GB ซึ่งเป็นนวัตกรรมสำคัญสำหรับศูนย์ข้อมูล AI และ HPC โดยมีจุดเด่นด้านการประหยัดพลังงานและเพิ่มประสิทธิภาพอย่างก้าวกระโดด

25 วันที่แล้ว · 1 ครั้ง
ผู้ผลิตชิปจีนหั่นราคา DRAM ทั่วโลก CXMT เสนอ DDR4 ครึ่งราคา ท้าทายตลาดโลก

ผู้ผลิตชิปจีนหั่นราคา DRAM ทั่วโลก CXMT เสนอ DDR4 ครึ่งราคา ท้าทายตลาดโลก

ผู้ผลิตชิปสัญชาติจีน โดยเฉพาะ CXMT กำลังปรับลดราคาชิป DRAM ทั่วโลกอย่างรุนแรง โดยเสนอขายชิป DDR4 ในราคาที่ต่ำกว่าราคาตลาดเกือบครึ่งหนึ่ง ซึ่งเป็นการเคลื่อนไหวที่อาจเปลี่ยนแปลงภูมิทัศน์ของอุตสาหกรรมชิปหน่วยความจำ.

29 วันที่แล้ว · 0 ครั้ง
Samsung Electronics ส่งตัวอย่างหน่วยความจำ LPDDR6X รุ่นแรก ทดสอบชิป AI เจเนอเรชันใหม่

Samsung Electronics ส่งตัวอย่างหน่วยความจำ LPDDR6X รุ่นแรก ทดสอบชิป AI เจเนอเรชันใหม่

Samsung Electronics เริ่มจัดส่งหน่วยความจำ LPDDR6X รุ่นใหม่สำหรับทดสอบกับแพลตฟอร์ม AI รุ่นถัดไป ชูจุดเด่นความเร็วสูงขึ้นและประหยัดพลังงานมากกว่าเดิม

1 เดือนที่แล้ว · 1 ครั้ง
Samsung เริ่มผลิต HBM4 ความเร็ว 11.7Gbps แรงขึ้น 46% รองรับยุค AI เต็มรูปแบบ

Samsung เริ่มผลิต HBM4 ความเร็ว 11.7Gbps แรงขึ้น 46% รองรับยุค AI เต็มรูปแบบ

Samsung ประกาศเริ่มผลิตและจัดส่งหน่วยความจำ HBM4 อย่างเป็นทางการ มอบความเร็ว 11.7Gbps สูงกว่ามาตรฐาน 46% และเร่งได้ถึง 13Gbps พร้อมความจุ 24GB และ 36GB เตรียมขยายสู่ 48GB รองรับงาน AI และดาต้าเซ็นเตอร์ประสิทธิภาพสูง

1 เดือนที่แล้ว · 2 ครั้ง
วงการมือถือเผชิญแรงกดดันหนัก ราคาหน่วยความจำ-ชิปพุ่ง เสี่ยงยกเลิกรุ่นใหม่ในปี 2026

วงการมือถือเผชิญแรงกดดันหนัก ราคาหน่วยความจำ-ชิปพุ่ง เสี่ยงยกเลิกรุ่นใหม่ในปี 2026

สถานีสนทนาดิจิทัลเผย แนวโน้มราคาหน่วยความจำและชิปที่ปรับตัวสูงขึ้นต่อเนื่อง อาจส่งผลรุนแรงต่ออุตสาหกรรมสมาร์ตโฟนในปี 2026 ทั้งการยุติการผลิตรุ่นคุ้มค่า การยกเลิกแผนเปิดตัวมือถือรุ่นใหม่ และบางค่ายอาจชะลอหรือถอนตัวจากตลาดบางภูมิภาค เนื่องจากต้นทุนสูงจนการเปิดตัวรุ่นใหม่กลายเป็นภาระขาดทุน

1 เดือนที่แล้ว · 1 ครั้ง
กฤตราคาแรมทั่วโลก DDR5 พุ่งแรง ขาดแคลนหนัก ดันราคาพีซีเกมมิ่งสูงขึ้น

กฤตราคาแรมทั่วโลก DDR5 พุ่งแรง ขาดแคลนหนัก ดันราคาพีซีเกมมิ่งสูงขึ้น

รายงานจาก Fast Technology ระบุว่าปัญหาการขาดแคลนหน่วยความจำยังคงรุนแรง ส่งผลให้ราคาแรมปรับตัวสูงขึ้นอย่างไม่เคยเกิดขึ้นมาก่อน ทั้งในจีน ญี่ปุ่น และตลาดโลก แรม DDR5 บางรุ่นมีราคาพุ่งหลายเท่าตัว โดยรุ่นระดับเซิร์ฟเวอร์ขนาด 512GB มีราคาใกล้แตะ 100,000 หยวน ทำให้ต้นทุนประกอบพีซีและคอมพิวเตอร์สำหรับเล่นเกมเพิ่มสูงขึ้นอย่างหลีกเลี่ยงไม่ได้

1 เดือนที่แล้ว · 2 ครั้ง