CXMT ผู้ผลิตชิปหน่วยความจำรายใหญ่ของจีนดำเนินการผลิตชิป DRAM แพลตฟอร์มรุ่นที่ 5 ในปริมาณมากเพื่อเสริมสร้างความแข็งแกร่งด้านห่วงโซ่อุปทานเซมิคอนดักเตอร์ภายในประเทศ การพัฒนาครั้งนี้นับเป็นก้าวสำคัญท่ามกลางกระแสความต้องการชิปประมวลผลที่กำลังเติบโตอย่างรวดเร็วทั่วโลกจากการขยายตัวของโครงสร้างพื้นฐานด้านปัญญาประดิษฐ์
กระบวนการผลิตแพลตฟอร์มรุ่นใหม่นี้อาศัยเทคโนโลยีการสร้างลวดลายแบบสี่ทบขั้นสูงส่งผลให้ระยะพิทช์ของอาร์เรย์หน่วยความจำลดลงเหลือ 11.95 นาโนเมตร เทคโนโลยีการผลิตดังกล่าวช่วยเพิ่มปริมาณไดส์ต่อแผ่นเวเฟอร์ได้มากกว่ารุ่นก่อนหน้าอย่างน้อยร้อยละ 50 พร้อมทั้งยกระดับความสามารถในการบริหารจัดการต้นทุนและการใช้พลังงานให้มีประสิทธิภาพสูงสุด
ข่าวที่คุณอาจสนใจ
การเปิดตัวนวัตกรรมชิปหน่วยความจำรุ่นนี้ถูกออกแบบมาเพื่อเจาะตลาดอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์พกพาและสมาร์ทโฟนระดับกลางถึงระดับสูงโดยเฉพาะ ความสำเร็จดังกล่าวสะท้อนถึงความมุ่งมั่นของประเทศจีนในการพึ่งพาตนเองด้านเทคโนโลยีไมโครชิปท่ามกลางความท้าทายในระดับสากลและความต้องการบริโภคชิปหน่วยความจำที่พุ่งสูงขึ้นอย่างต่อเนื่อง
