มีข่าวลือว่า Qualcomm เตรียมเปิดตัวชิป Snapdragon 8 Elite Gen 6 อย่างน้อย 2 รุ่นย่อย โดยรุ่นท็อปอย่าง Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro จะได้ฟีเจอร์ระดับสูงมากกว่ารุ่นปกติ ไม่ว่าจะเป็นการรองรับแรม LPDDR6 และจีพียูที่แรงกว่า ล่าสุดยังมีข้อมูลใหม่เผยว่ารุ่น Pro อาจมีจุดเด่นสำคัญด้านการระบายความร้อนด้วย
ข้อมูลที่หลุดมาจากจีนระบุว่า Qualcomm อาจนำเทคโนโลยี Heat Pass Block (HPB) มาใช้ ซึ่งเป็นวิธีจัดการความร้อนแบบเดียวกับที่ Samsung ใช้ในชิป Exynos รุ่นใหม่ หลักการของ HPB คือการเพิ่มชั้นกระจายความร้อนโดยตรงไว้บนตัวแพ็กเกจของชิป ช่วยดึงความร้อนออกจากชิปได้เร็วขึ้น ก่อนที่อุณหภูมิจะสูงจนกระทบประสิทธิภาพ
ช่วงหลัง Qualcomm พยายามดันความเร็วชิปให้สูงขึ้นอย่างมาก และมีข่าวว่าชิป Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro อาจทำความเร็วได้สูงถึงระดับ 6GHz แต่ปัญหาที่พบเสมอคือ เมื่อชิปทำงานหนัก ความร้อนจะสูงจนต้องลดความเร็วลงอัตโนมัติ เทคโนโลยี HPB จึงเข้ามาช่วยให้ชิปสามารถรักษาความแรงได้ต่อเนื่องนานขึ้น
นอกจากนี้ ข้อมูลจากแผนผังโครงสร้างชิปยังเผยว่า รุ่น Pro จะใช้การออกแบบหน่วยความจำแบบ Package-on-Package (PoP) หรือการวางแรมซ้อนอยู่ใกล้กับตัวชิปโดยตรง ซึ่งช่วยประหยัดพื้นที่และเพิ่มประสิทธิภาพการทำงาน
ในด้านหน่วยความจำ ชิปรองรับทั้ง LPDDR6 และ LPDDR5X รวมถึงที่เก็บข้อมูล UFS 5.0 เพื่อความเร็วในการอ่านเขียนที่สูงขึ้น รองรับการใช้งานหนักได้ดียิ่งกว่าเดิม
นอกจากเรื่องความแรงแล้ว ชิปตัวนี้ยังอาจเน้นการใช้งานด้านการทำงานมากขึ้น โดยมีการพูดถึงการรองรับ การแสดงผลหลายหน้าจอ ซึ่งอาจช่วยให้สมาร์ตโฟนใช้งานร่วมกับจอภายนอกในลักษณะคล้ายคอมพิวเตอร์ตั้งโต๊ะ
หากข้อมูลทั้งหมดนี้เป็นจริง Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro อาจเป็นชิปที่ไม่ได้แรงแค่ช่วงสั้น ๆ แต่สามารถรักษาประสิทธิภาพสูงได้ต่อเนื่องด้วยระบบจัดการความร้อนที่ดีขึ้น อย่างไรก็ตาม ตอนนี้ยังไม่ชัดเจนว่าเทคโนโลยี HPB จะมีเฉพาะในรุ่น Pro หรือจะถูกนำมาใช้กับรุ่นปกติด้วยหรือไม่ ซึ่งต้องรอการยืนยันอย่างเป็นทางการจาก Qualcomm ต่อไป
